MOS管基本知识
NMOS就是一个电子开关
G高电平 DS导通 G低电平 DS关断 类似常闭开关
可以实现单片机IO口控制一个功率器件
一般封装越大，能承受的电流也越大
NMOS的等效模型可以看成是电压控制的电阻
电压就是GS直接的电压差 电阻就是DS之间的电阻
电阻的大小可以随着电压的变化而变化
Vgsth 打开NMOS需要的最低电压
Vgsth 要小于单片机高电平的电压值，否则NMOS就无法打开，一般如果你的单片机的高电平是5V，选择Vgsth 为3V的比较合适，太小容易干扰误开，太大容易打不开。
Rdson 导通时DS之间的电阻
尽快导通电阻接近于0，但总归不是0 ，一般Rdson越小 MOS管的价格越高，体积也越大
Cgs GS 之间的寄生电容
Cgs 会影响NMOS管的打开速度，因为加载到GS之间的电压首先要给Cgs 充电
一般Rdson 越小 Cgs 越大
NMOS PMOS
PMOS 屁MOS 放屁所以从内到外，剪头朝外。
PMOS控制逻辑和NMOS相反
G高电平 SD关闭 G低电平 SD导通 类似于常开开关
控制芯片最好使用PMOS上管
对于灯泡这种无源器件可以使用NMOS下管控制，对于芯片这种有源器件使用PMOS上管控制
NMOS一般比PMOS便宜
PMOS等效模型
VS 要大于 VG 管子才打开
MOS管和三极管对比
文档信息
版权声明：可自由转载（请注明转载出处）-非商用-非衍生
发表时间：2025年7月8日 14:41
